参数	值
产品	未分类
型号编码	TK13A50D(STA4,Q,M)
说明	未分类   TO-220SIS TO-220-3整包
品牌	Toshiba Semiconductor and Storage
起订量	0
最小包	0
现货	494 [库存更新时间：2025-04-21]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	13A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	38nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1.8nF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
功率	45W
Rds On(Max)@Id,Vgs	400 毫欧 @ 6.5A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220SIS
封装/外壳	TO-220-3 整包