参数	值
产品	未分类
型号编码	TK12J60W,S1VQ(O
说明	未分类   TO-3P 15.5mm 15.5x4.5x20mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-11]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	11.5 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	300 m0hms
栅极电压Vgs	3.7V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-3P
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	110W
典型接通延迟时间	45 ns
典型关断延迟时间	85 ns
漏源极电压Vds	890 pF @ 300 V
晶体管材料	Si
系列	TK
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	4.5mm
长度	15.5mm
高度	20mm
正向二极管电压	1.7V
封装/外壳	15.5 x 4.5 x 20mm
最高工作温度	+150 °C