参数	值
产品	未分类
型号编码	TK100E08N1
说明	未分类   TO-220 10.16x4.45x15.1mm 10.16mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	214 A
漏源极电压Vds	80 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.2 m0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	255 W
封装/外壳	10.16 x 4.45 x 15.1mm
系列	TK
高度	15.1mm
宽度	4.45mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	9000 pF @ 40 V
典型关断延迟时间	140 ns
典型接通延迟时间	53 ns
长度	10.16mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+150 °C