参数	值
产品	未分类
型号编码	SVD2955T4G
说明	未分类   TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
起订量	2
最小包	2
现货	480 [库存更新时间：2024-04-17]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	12A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	30nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	750pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
功率	55W(Tj)
Rds On(Max)@Id,Vgs	180 毫欧 @ 6A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	750pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	180 毫欧 @ 6A,10V
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	12A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA