参数	值
产品	未分类
型号编码	SSM6N35FE
说明	未分类   SOT-563 1.2mm 1.2x1.6x0.55mm
品牌	Toshiba(东芝)
现货	106 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	180 mA
漏源极电压Vds	20 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	20 0hms
栅极电压Vgs	1V
最小栅阈值电压	0.4V
栅极电压Vgs	±10 V
封装/外壳	SOT-563
引脚数目	6
FET类型	增强
功率	3/20W
典型接通延迟时间	115 ns
典型关断延迟时间	300 ns
漏源极电压Vds	9.5 pF @ 3 V
每片芯片元件数目	2
宽度	1.60mm
长度	1.2mm
高度	0.55mm
封装/外壳	1.2 x 1.6 x 0.55mm
最高工作温度	+150 °C