参数	值
产品	未分类
型号编码	RN2101ACT(TPL3)
说明	未分类   SC-101,SOT-883 CST3
品牌	Toshiba Semiconductor and Storage
起订量	0
最小包	0
现货	515 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	80mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 基底（R1）	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）	4.7 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	30 @ 10mA,5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	150mV @ 500µA,5mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
功率	1/10W
封装/外壳	SC-101,SOT-883
封装/外壳	CST3