参数	值
产品	未分类
型号编码	RN1444ATE85LF
说明	未分类   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 S-Mini
品牌	Toshiba Semiconductor and Storage
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现货	520 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	300mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	20V
电阻器 - 基底（R1）	2.2 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	200 @ 4mA,2V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	100mV @ 3mA,30mA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA(ICBO)
频率 - 跃迁	30MHz
功率	1/5W
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳	S-Mini