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    NVMFD5485NLT1G

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    库存:478 Pcs [库存更新时间:2024-04-26]

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    产品概述
    参数
    产品未分类
    型号编码NVMFD5485NLT1G
    说明未分类   8-PowerTDFN 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
    起订量1
    最小包1
    现货478 [库存更新时间:2024-04-26]
    FET类型2N-Channel
    FET类型逻辑电平门
    漏源极电压Vds60V
    连续漏极电流Id5.3A
    Rds On(Max)@Id,Vgs44 毫欧 @ 15A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)20nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)560pF @ 25V
    功率2.9W
    工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
    封装/外壳8-PowerTDFN
    封装/外壳8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

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