参数	值
产品	未分类
型号编码	NVMD4N03R2G
说明	未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC
起订量	2
最小包	2
现货	463 [库存更新时间：2024-05-05]
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	4A
Rds On(Max)@Id,Vgs	60 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	400pF @ 20V
功率	2W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	8-SOIC