参数	值
产品	未分类
型号编码	NVD6415ANLT4G-VF01
说明	未分类   DPAK TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
起订量	2
最小包	2
现货	454 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	23A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1024pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
功率	83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	52 毫欧 @ 10A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	DPAK
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63