参数	值
产品	未分类
型号编码	NSVDTC123JET1G
说明	未分类   SC-75,SOT-416 SC-75,SOT-416
起订量	3
最小包	3
现货	481 [库存更新时间：2024-04-22]
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
功率	1/5W
FET类型	NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	2.2k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	47K Ohms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 5mA,10V
电阻器 - 基底（R1）	2.2 kOhms
电阻器 - 发射极基底（R2）	47 kOhms
封装/外壳	SC-75,SOT-416
封装/外壳	SC-75,SOT-416