参数	值
产品	未分类
型号编码	NSS12100XV6T1G
说明	未分类   SOT-563,SOT-666 SOT-563
起订量	4
最小包	4
现货	430 [库存更新时间：2025-04-12]
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	440mV @ 100mA,1A
电流-集电极截止（最大值）	100nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 500mA,2V
功率	1/2W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-563,SOT-666
封装/外壳	SOT-563
FET类型	P-Channel
集电极最大允许电流Ic	1A
集电极_发射极击穿电压VCEO	12V