参数	值
产品	未分类
型号编码	MUN2232T1G
说明	未分类   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SC-59
起订量	3
最小包	3
现货	440 [库存更新时间：2024-05-05]
FET类型	NPN - 预偏压
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）	4.7k
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	15 @ 5mA,10V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 1mA,10mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
Power-Max	338mW
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳	SC-59
FET类型	NPN
集电极最大允许电流Ic	100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO	50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
功率	0.338W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	4.7k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	15 @ 5mA,10V