参数	值
产品	未分类
型号编码	MML60R190PTH
说明	未分类   I2PAK(TO-262) 10.29x4.63x11.05mm 10.29mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	860 [库存更新时间：2026-05-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	20 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 m0hms
栅极电压Vgs	4V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	154 W
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	10.29 x 4.63 x 11.05mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1630 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	146 ns
典型接通延迟时间	32 ns
宽度	4.63mm
高度	11.05mm
长度	10.29mm
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C