参数	值
产品	未分类
型号编码	MAT12AHZ
说明	未分类   TO-78-6金属罐 TO-78-6 TO-78 9.4(Dia.)x4.7mm
品牌	Analog Devices(亚德诺)
起订量	0
最小包	0
现货	820 [库存更新时间：2025-12-08]
FET类型	2 NPN(双)配对
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	20mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	200mV @ 100µA,1mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500pA
频率 - 跃迁	200MHz
工作温度	-65°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-78-6 金属罐
封装/外壳	TO-78-6
FET类型	NPN
最大直流集电极电流	20 mA
最大集电极-发射极电压	10 V
封装/外壳	TO-78
最小直流电流增益	200
晶体管配置	隔离式
最大集电极-基极电压	15 V
最大工作频率	200 MHz
引脚数目	6
每片芯片元件数目	2
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+85 °C
最大集电极-发射极饱和电压	0.2 V
高度	4.7mm
宽度	8.51 (Dia.)mm
直径	9.4mm
封装/外壳	9.4 (Dia.) x 4.7mm