| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | L6399D |
| 说明 | 未分类 |
| 起订量 | 2 |
| 最小包 | 2 |
| 现货 | 475 [库存更新时间：2024-05-05] |
| 驱动配置 | 半桥 |
| FET类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 电源 | 10 V ~ 20 V |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 1.1V,1.9V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 290mA,430mA |
| 输入类型 | 反相,非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 600V |
| 上升/下降时间（典型值） | 75ns,35ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
IC普拉斯 元器件现货