参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTP4N65X2
说明	未分类   TO-220 TO-220-3
起订量	50
最小包	50
现货	561 [库存更新时间：2024-05-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8.3nC @ 10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	455pF @ 25V
功率	80W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	850 毫欧 @ 2A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220
封装/外壳	TO-220-3