参数	值
产品	未分类
型号编码	IRF6622TR1PBF
说明	未分类   DIRECTFET™SQ DirectFET™等容SQ
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现货	422 [库存更新时间：2024-05-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	15A(Ta),59A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1450pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	13V
功率	2.2W(Ta),34W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6.3 毫欧 @ 15A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	DIRECTFET™ SQ
封装/外壳	DirectFET™ 等容 SQ