参数	值
产品	未分类
型号编码	HN4B01JE(TE85L,F)
说明	未分类   SOT-553 ESV
品牌	Toshiba Semiconductor and Storage
起订量	4
最小包	4
现货	493 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	NPN,PNP(耦合发射器)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA(ICBO)
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 10MA,100MA
功率	1/10W
频率 - 跃迁	80MHz
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-553
封装/外壳	ESV