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  • 2SJ652-1E

    2SJ652-1E

    产品:未分类

    库存:476 Pcs [库存更新时间:2025-04-14]

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    产品概述
    参数
    产品未分类
    型号编码2SJ652-1E
    说明未分类   TO-220-3整包 TO-220F
    起订量1
    最小包1
    现货476 [库存更新时间:2025-04-14]
    FET类型P-Channel
    连续漏极电流Id28A(Ta)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)4V,10V
    不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)80nC @ 10V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)4360pF @ 20V
    栅极电压Vgs±20V
    功率2W(Ta),30W(Tc)
    Rds On(Max)@Id,Vgs38 毫欧 @ 14A,10V
    工作温度150°C(TJ)
    封装/外壳TO-220-3 整包
    封装/外壳TO-220F
    FET类型P-Channel
    漏源极电压Vds60V
    连续漏极电流Id28A

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