参数	值
产品	未分类
型号编码	TK14E65W,S1X(S
说明	未分类   TO-220 10.16mm 10.16x4.45x15.1mm
品牌	Toshiba(东芝)
起订量	0
最小包	0
现货	115 [库存更新时间：2025-04-13]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	13.7 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	250 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	130W
长度	10.16mm
封装/外壳	10.16 x 4.45 x 15.1mm
系列	TK
高度	15.1mm
漏源极电压Vds	1300 pF @ 300 V
典型关断延迟时间	110 ns
典型接通延迟时间	60 ns
宽度	4.45mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si