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    整流二极管 SMD1200PL-TP MCC 整流电流Io:1A 封装/外壳:SOD-123FL 不同Vr时电流-反向泄漏:500?A @ 200V 不同Vr、F时电容:30pF @ 4V,1MHz 反向电压Vr:200V 正向电压Vf:950mV @ 1A 工作温度-结:-55°C ~ 125°C
    功率MOSFET SI2302A-TP MCC 封装/外壳:SOT-23 输入电容Ciss:237pF @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:3A Rds On(Max)@Id,Vgs:72mΩ@3.6A,4.5V 漏源极电压Vds:20V Pd-功率耗散(Max):1.25W 栅极电荷Qg:10nC @ 4.5V FET 类型:N-Channel 栅极电压Vgs:±8V
    功率MOSFET SI2301A-TP MCC 封装/外壳:SOT-23 输入电容Ciss:880pF @ 6V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 连续漏极电流Id:2.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@2.8A,4.5V 漏源极电压Vds:20V Pd-功率耗散(Max):1.25W 栅极电荷Qg:14.5nC @ 4.5V FET 类型:P-Channel 栅极电压Vgs:±8V
    整流二极管 M7-TP MCC 封装/外壳:DO-214 功率:1000W
    通用三极管 BCP56-16-TP MCC 封装/外壳:SOT-223 最大直流电集电极电流:100nA(ICBO) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 功率:1.5W 频率:100MHz 集电极连续电流:1A 集电极-射极饱和电压:500mV @ 50mA,500mA 直流电流增益hFE:63 @ 150mA,2V FET类型:NPN

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