| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 晶体 | XRCGB24M000F2P01R0 | Murata(村田) | 系列:XR 封装/尺寸:2.0*1.6*0.7 负载电容:8pF 频率:24MHz 频率稳定性:±20ppm |
| 晶体 | AV27170001 | TXC(台湾晶技) | 频率:27MHz |
| 晶体 | AM30000304 | TXC(台湾晶技) | 封装/尺寸:3.2*2.5*0.8 频率:30MHz |
| 晶体 | AM16000602 | TXC(台湾晶技) | 封装/尺寸:3.2*2.5*0.8 频率:16MHz |
| 晶体 | 7M37400001 | TXC(台湾晶技) | 封装/尺寸:3.2*2.5*0.8 负载电容:10pF 频率:37.4MHz |
| 晶体 | 8W12200002 | TXC(台湾晶技) | 负载电容:8pF 频率:12.2MHz |
| 晶体 | 7U08000001 | TXC(台湾晶技) | 频率:8MHz |
| 晶体 | NX5032GA-8.000MHZ-STD-CSU-1 | NDK | 系列:NX5032GA 频率:8MHZ 封装/尺寸:5032 |
| 晶体 | NX3225GA-20.000MHZ-STD-CRG-2 | NDK | 系列:NX3225GA 频率:20MHZ 封装/尺寸:3225 |
| 晶体 | NX3225GA-16.000MHZ-STD-CRG-2 | NDK | 系列:NX3225GA 频率:16MHZ 封装/尺寸:3225 |
| 晶体 | NX3225GA-12.000MHZ-STD-CRG-2 | NDK | 系列:NX3225GA 频率:12MHZ 封装/尺寸:3225 |
| 晶体 | NX2016SA-32.000MHZ-STD-CZS-2 | NDK | 频率:32MHz 负载电容:8pF |
| 晶体 | 7M27100008 | TXC(台湾晶技) | 封装/尺寸:3.2*2.5*0.8 负载电容:18pF 频率:27.12MHZ 频率稳定性:±15ppm |
| 晶体 | CX2016DB16000D0GLNCC | Kyocera(京瓷) | 系列:CX2016DB,Kyocera 封装/尺寸:2016 负载电容:8pF 频率:16MHz 频率稳定性:±25ppm |
| 晶体 | KC2520K19.2000C1GE00 | Kyocera(京瓷) | 封装/尺寸:2520 频率:19.2MHz |
| 晶体 | 49S8192FD1C-CB | TKD(泰晶) | 封装/尺寸:5032 负载电容:8pF 频率:8MHz 频率稳定性:±150ppm |
| 晶体 | 7X20002003 | TXC(台湾晶技) | 封装/尺寸:3225 负载电容:8pF 频率:20MHz 频率稳定性:±30ppm |
| 晶体 | 8Q38470015 | TXC(台湾晶技) | 封装/尺寸:1.6*1.2*0.35 负载电容:8pF 频率:38.47MHz 频率稳定性:±30ppm |
| 晶体 | 8Y19290002 | TXC(台湾晶技) | 封装/尺寸:2.0*1.6*0.55 频率:19.29MHz |
| 晶体 | 7R24030001 | TXC(台湾晶技) | 封装/尺寸:2.0*1.6*0.6 频率:24.03MHz |
| 晶体 | GC2500135 | Diodes(达尔(美台)) | |
| 晶体 | G93270002 | Diodes(达尔(美台)) | 封装/尺寸:2.0*1.2*0.6 负载电容:12.5pF 频率:32.768kHz |
| 晶体 | FL4000023 | Diodes(达尔(美台)) | 系列:FL |
| 晶体 | FL3200032 | Diodes(达尔(美台)) | 系列:FL 封装/尺寸:3.2*2.5*0.78 负载电容:12pF 频率:32MHz 频率稳定性:±20ppm |
| 晶体 | FL3000056 | Diodes(达尔(美台)) | 系列:FL 封装/尺寸:3.2*2.5*0.78 负载电容:10pF 频率:30MHz 频率稳定性:±25ppm |
| 晶体 | FL2700100 | Diodes(达尔(美台)) | 系列:FL 封装/尺寸:3.2*2.5*0.78 负载电容:10pF 频率:27MHz 频率稳定性:±20ppm |
| 晶体 | FL2500167 | Diodes(达尔(美台)) | 系列:FL 封装/尺寸:3.2*2.5*0.78 负载电容:18pF 频率:25.000625MHz 频率稳定性:±20ppm |
| 晶体 | ABMM2-8.000MHZ-E2-T | ABRACON | 系列:ABMM2 封装/尺寸:6.0*3.6*1.2 负载电容:18pF 频率:8MHZ 频率稳定性:±20ppm |
| 晶体 | ABLS7M2-12.000MHZ-D-2Y-T | ABRACON | 封装/尺寸:7.0*4.1*2.0 负载电容:10pF 频率:12MHz 频率稳定性:±30ppm |
| 晶体 | GC2500135 | Diodes(达尔(美台)) | |
| 晶体 | G93270002 | Diodes(达尔(美台)) | 封装/尺寸:2.0*1.2*0.6 负载电容:12.5pF 频率:32.768kHz |
| 晶体 | FL4000023 | Diodes(达尔(美台)) | 系列:FL |
| 晶体 | FL3200032 | Diodes(达尔(美台)) | 系列:FL 封装/尺寸:3.2*2.5*0.78 负载电容:12pF 频率:32MHz 频率稳定性:±20ppm |
| 晶体 | FL3000056 | Diodes(达尔(美台)) | 系列:FL 封装/尺寸:3.2*2.5*0.78 负载电容:10pF 频率:30MHz 频率稳定性:±25ppm |
| 晶体 | FL2700100 | Diodes(达尔(美台)) | 系列:FL 封装/尺寸:3.2*2.5*0.78 负载电容:10pF 频率:27MHz 频率稳定性:±20ppm |
| 晶体 | FL2500167 | Diodes(达尔(美台)) | 系列:FL 封装/尺寸:3.2*2.5*0.78 负载电容:18pF 频率:25.000625MHz 频率稳定性:±20ppm |
| 晶体 | ABMM2-8.000MHZ-E2-T | ABRACON | 系列:ABMM2 封装/尺寸:6.0*3.6*1.2 负载电容:18pF 频率:8MHZ 频率稳定性:±20ppm |
| 晶体 | ABLS7M2-12.000MHZ-D-2Y-T | ABRACON | 封装/尺寸:7.0*4.1*2.0 负载电容:10pF 频率:12MHz 频率稳定性:±30ppm |
| 晶体 | G83270021 | Diodes(达尔(美台)) | 封装/尺寸:3.2*1.5*0.8 负载电容:12.5pF 频率:32.768kHz |
| 晶体 | 7M30000019 | TXC(台湾晶技) | 封装/尺寸:3.2*2.5*0.8 负载电容:8pF 频率:30MHz 频率稳定性:±30ppm |
| 晶体 | AU27070002 | TXC(台湾晶技) | 频率:27MHz |