P型半导体

半导体中有两种类型的载流子：导带中的电子和价带中的空穴。如果某种半导体的导电性主要取决于价带中的空穴，则这种半导体称为P型半导体。
＆QUOT; P＆QUOT;意味着正电的含义，取自英语正面的第一个字母。在这种半导体中，导电（即电荷载流子）主要是来自半导体中受主的带正电的空穴。
因此，掺入受主杂质或受主数量多于施主的半导体是p型半导体。例如，含有适当量的三价元素如硼，铟，镓等的诸如锗或硅的半导体是P型半导体。
由于P型半导体中的正电荷量和负电荷量相等，因此P型半导体是电中性的。空穴主要由杂质原子提供，自由电子通过热激发形成。
掺入的杂质越多，多孔（空穴）的浓度越高，导电性越强。产生更多的空穴浓度取决于掺杂或缺陷。
通过将三价元素（例如硼）掺杂到纯硅晶体中以形成晶格中硅原子的位置来形成P型半导体。对于IV族元素，半导体（锗，硅等）掺杂有III族元素;对于III-V族化合物半导体（如砷化镓），通常掺杂II族元素以提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧化物半导体中，化学计量比的微小偏移会导致大量的电负载载流子，并且当氧量过大时形成的缺陷可以提供空穴，并且Cu2O，NiO，VO2等是这种类型的所有P型半导体。
当它们在氧气压力下加热时，空穴浓度将增加。上述能够向半导体提供空穴的掺杂剂原子或缺陷称为受主。