型号参数与资料
- 型号
- ZXTN2011GTA
- 品牌
- Diodes(达尔（美台）)
- 类别
- 通用三极管
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 220mV @ 500mA,5A |
|---|---|
| 电流-集电极截止（最大值） | 50nA(ICBO) |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 100 @ 2A,2V |
| Power-Max | 3W |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOT-223 |
| FET类型 | NPN |
| 集电极最大允许电流Ic | 6A |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 100V |
通用三极管 SOT-223
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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