型号参数与资料
- 型号
- ZXTN2010ZTA
- 品牌
- Diodes(达尔（美台）)
- 类别
- 通用三极管
| 配置 | Single |
|---|---|
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 230mV @ 300mA,6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50nA(ICBO) |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值） | 100 @ 2A,1V |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SOT-89 |
| 集电极最大允许电流Ic | 5A |
| 集电极_发射极击穿电压VCEO | 60V |
| 功率 | 2.1W |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 7V |
| 特征频率fT | 130MHz |
| 宽度 | 2.6mm(Max) |
| FET类型 | NPN |
| 最大直流电集电极电流 | 5A |
| 系列 | ZXTN2010 |
| 长度 | 4.6mm(Max) |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 60V |
| 集电极—基极电压 VCBO | 150V |
| 集电极连续电流 | 5A |
| 高度 | 1.6mm(Max) |
通用三极管 SOT-89 4.6mm(Max)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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