型号参数与资料
- 型号
- ZXMP3A16N8TA
- 品牌
- Diodes(达尔（美台）)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | P-Channel |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 5.6A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 29.6nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1022pF @ 15V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.9W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ@4.2A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/外壳 | SOIC |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 6.7A |
通用MOSFET 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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