型号参数与资料
- 型号
- ZVN2110ASTZ
- 品牌
- Diodes(达尔（美台）)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 320mA(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 75pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 700mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4Ω@1A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| 封装/外壳 | E-Line |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 0.32A |
通用MOSFET E-Line-3 E-Line
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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