| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | VT6J1T2CR |
| 说明 | 小信号MOSFET VMT-6 |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 444 [库存更新时间：2025-04-14] |
| 连续漏极电流Id | 100mA |
| Pd-功率耗散(Max) | 120mW |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.8Ω@100mA,4.5V |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 栅极电压Vgs | 1V |
| 上升时间 | 62ns |
| 下降时间 | 137ns,137ns |
| 典型关闭延迟时间 | 325ns |
| 典型接通延迟时间 | 46ns |
| 封装/外壳 | VMT-6 |
| 系列 | VT6J1 |
| 通道数量 | 2Channel |
| 配置 | Dual |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
| FET类型 | P-Channel |
IC普拉斯 元器件现货
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