VN10LFTA

· MOSFET

型号参数与资料

型号
VN10LFTA
类别
MOSFET
FET类型N-Channel
Pd-功率耗散(Max)330mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs5Ω@500mA,10V
栅极电压Vgs±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)60 pF @ 25 V
封装/外壳SOT-23-3
工作温度-55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id150mA(Ta)
驱动电压5V,10V

MOSFET   SOT-23-3

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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