型号参数与资料
- 型号
- TPS1101DR
- 品牌
- TI(德州仪器)
- 类别
- 未分类
| 功率 | 791mW(Ta) |
|---|---|
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 90mΩ@2.5A,10V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 15V |
| 连续漏极电流Id | 2.3A(Ta) |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11.25nC @ 10V |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 15V |
| 连续漏极电流Id | 2.3A(Ta) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.7V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 11.25nC @ 10V |
| 栅极电压Vgs | +2V,-15V |
| 功率 | 791mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 90mΩ@2.5A,10V |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
未分类 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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