型号参数与资料
- 型号
- TLV9002IDR
- 品牌
- TI(德州仪器)
- 类别
- 未分类
| 湿气敏感性等级（MSL） | 2(1 年) |
|---|---|
| 电压 - 输入失调 | 400µV |
| 电流 - 电源 | 60µA |
| 电压 - 电源，单/双（±） | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 电路数 | 2 |
| 输出类型 | 满摆幅 |
| 压摆率 | 2 V/µs |
| 增益带宽积 | 1MHz |
| 电流 - 输入偏置 | 5pA |
| 放大器类型 | 双运算 |
| 封装/外壳 | SOIC |
| 电源类型 | 单 |
| 每片芯片通道数目 | 1 Ohms |
| 引脚数目 | 8 |
| 典型单电源电压 | 最高 5.5 V |
| 典型增益带宽积 | 1MHz |
| 输出类型 | 轨至轨 |
| 典型转换速率 | 2V/µs |
| 最高工作温度 | +125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 失调电压 | ±1.6mV |
| 输出电流 | ±40 mA |
| 输入电压范围 | 1.8 → 5.5 V |
| 输入偏置电流 | 2pA |
| 高度 | 1.75mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 封装/外壳 | 4.9 x 3.9 x 1.75mm |
| 最大输入电压 | 5.5 V |
| 典型电压增益 | 130 dB |
| 宽度 | 3.9mm |
| 最小输入电压 | 1.8 V |
| 典型输入电压噪声密度 | 30nV/√Hz |
未分类 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 4.9mm 4.9x3.9x1.75mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。