TLC372QDR

TI(德州仪器) · 未分类

型号参数与资料

型号
TLC372QDR
品牌
TI(德州仪器)
类别
未分类
电流 - 静态(最大值)300µA
工作温度-40°C ~ 125°C
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
FET类型差分
元件数2
输出类型CMOS,MOS,开路漏极,TTL
电压 - 电源,单/双(±)4 V ~ 16 V,±2 V ~ 8 V
电压 - 输入失调(最大值)5mV @ 5V
电流 - 输入偏置(最大值)5pA @ 5V
电流 - 输出(典型值)20mA
FET类型差分
元件数2
输出类型CMOS,MOS,开路漏极,TTL
电压 - 电源,单/双(±)4 V ~ 16 V,±2 V ~ 8 V
电压 - 输入失调(最大值)5mV @ 5V
电流 - 输入偏置(最大值)5pA @ 5V
电流 - 输出(典型值)20mA
电流 - 静态(最大值)300µA
工作温度-40°C ~ 125°C
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳8-SOIC

未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。