型号参数与资料
- 型号
- TD352IDT
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 集成电路(芯片)
| 驱动配置 | 高压侧 |
|---|---|
| FET类型 | 单路 |
| 驱动器数 | 1 Ohms |
| 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
| 电压-电源 | 12 V ~ 26 V |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 0.8V,4.2V |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 1.3A,1.7A |
| 输入类型 | 非反相 |
| 上升/下降时间（典型值） | 100ns,100ns(最大) |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SO |
集成电路(芯片) 8-SO
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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