参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STT6N3LLH6
说明	通用MOSFET   SOT-23-6 SOT-23
起订量	3
最小包	3
现货	448 [库存更新时间：2024-04-23]
系列	DeepGATE™,STripFET™ VI
连续漏极电流Id	6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	3.6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	283pF @ 24V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	1.6W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	25mΩ@3A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-6
封装/外壳	SOT-23
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	6A