参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STS9P2UH7
说明	通用MOSFET   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SO
起订量	2
最小包	2
现货	470 [库存更新时间：2024-04-10]
系列	STripFET™
连续漏极电流Id	9A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2390pF @ 16V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	2.7W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	22.5m Ohms@4.5A,4.5V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	SO
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	9A