型号参数与资料
- 型号
- STS1DNC45
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | SuperMESH™ |
|---|---|
| FET类型 | 2N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 400mA |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.5 Ohms@500mA,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3.7V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 10nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 160pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.6W |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 封装/外壳 | SO |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 450V |
| 连续漏极电流Id | 0.4A |
通用MOSFET 8-SO SO
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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