参数	值
产品	未分类
型号编码	STP11N52K3
说明	未分类   TO-220-3 TO-220
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1
最小包	1
现货	321 [库存更新时间：2025-04-04]
功率	125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	510 毫欧 @ 5A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	525V
连续漏极电流Id	10A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1400pF @ 50V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220