型号参数与资料
- 型号
- STP10N60M2
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | MDmesh™ II Plus |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 7.5A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13.5nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 400pF @ 100V |
| 栅极电压Vgs | ±25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 85W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600m Ohms@3A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 连续漏极电流Id | 7.5A |
通用MOSFET TO-220-3 TO-220
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。