型号参数与资料
- 型号
- STN1NK80Z
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | SuperMESH™ |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 250mA(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 7.7nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 160pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16 Ohms@500mA,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/外壳 | SOT-223 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 800V |
| 连续漏极电流Id | 0.25A |
通用MOSFET TO-261-4,TO-261AA SOT-223
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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