参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | STL8DN10LF3 |
说明 | 通用MOSFET PowerFlat™(5x6) Power |
品牌 | ST(意法半导体) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 24103 [库存更新时间:2025-04-04] |
系列 | STripFET™ III |
FET类型 | 2N-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 35m Ohms@4A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 20.5nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 970pF @ 25V |
Pd-功率耗散(Max) | 70W |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
封装/外壳 | PowerFlat™(5x6) |
封装/外壳 | Power |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 100V |
连续漏极电流Id | 20A |