参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | STL16N65M5 |
说明 | 未分类 PowerFlat™(8x8)HV 4-PowerFlat™HV |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 421 [库存更新时间:2025-04-03] |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 650V |
连续漏极电流Id | 12A(Tc) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 31nC |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V |
栅极电压Vgs | ±25V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1250pF |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 100V |
功率 | 3W(Ta),90W(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 299 毫欧 @ 6A,10V |
工作温度 | 150°C(TJ) |
封装/外壳 | PowerFlat™(8x8) HV |
封装/外壳 | 4-PowerFlat™ HV |