型号参数与资料
- 型号
- STGW60H65DF
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | 120A |
| 脉冲电流-集电极(Icm) | 240A |
| 不同 Vge，Ic时的 Vce（on） | 1.9V @ 15V,60A |
| Pd-功率耗散(Max) | 360W |
| 开关能量 | 1.5mJ(开),1.1mJ(关) |
| 输入类型 | 标准 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 67ns/165ns |
| 测试条件 | 400V,60A,10 欧姆,15V |
| 反向恢复时间（trr） | 62ns |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-247 |
通用MOSFET TO-247
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。