型号参数与资料
- 型号
- STGW25M120DF3
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| IGBT类型 | 沟槽型场截止 |
|---|---|
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | 50A |
| 脉冲电流-集电极(Icm) | 100A |
| 不同 Vge，Ic时的 Vce（on） | 2.3V @ 15V,25A |
| Pd-功率耗散(Max) | 375W |
| 开关能量 | 850µJ(开),1.3mJ(关) |
| 输入类型 | 标准 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 28ns/150ns |
| 测试条件 | 600V,25A,15欧姆,15V |
| 反向恢复时间（trr） | 265ns |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
通用MOSFET TO-247-3
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。