型号参数与资料
- 型号
- STGP19NC60SD
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | PowerMESH™ |
|---|---|
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极（Ic）（最大值） | 40A |
| 脉冲电流-集电极(Icm) | 80A |
| 不同 Vge，Ic时的 Vce（on） | 1.9V @ 15V,12A |
| Pd-功率耗散(Max) | 130W |
| 开关能量 | 135µJ(开),815µJ(关) |
| 输入类型 | 标准 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 17.5ns/175ns |
| 测试条件 | 480V,12A,10 欧姆,15V |
| 反向恢复时间（trr） | 31ns |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-220 |
通用MOSFET TO-220
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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