型号参数与资料
- 型号
- STF22NM60N
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 功率MOSFET
| 连续漏极电流Id | 16A |
|---|---|
| Pd-功率耗散(Max) | 30W |
| Qg-栅极电荷 | 44nC |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 220mΩ |
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 栅极电压Vgs | 3V |
| 上升时间 | 18ns |
| 下降时间 | 38ns |
| 典型关闭延迟时间 | 74ns |
| 典型接通延迟时间 | 11ns |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| FET类型 | N-Channel |
| 系列 | STF22NM60N |
| 通道数量 | 1Channel |
| 配置 | Single |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
功率MOSFET TO-220-3
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。