型号参数与资料
- 型号
- STD30N10F7
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | DeepGATE™,STripFET™ VII |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 32A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 19nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1270pF @ 50V |
| Pd-功率耗散(Max) | 50W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24m Ohms@16A,10V |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 |
| 封装/外壳 | DPAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 50 W | Pd - 功率消耗 |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 17.5 ns |
| FET类型 | N-Channel |
| 标准包装数量 | 2500 |
| 标准断开延迟时间 | 22 ns |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 连续漏极电流Id | 32A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24mΩ |
| 配置 | Single |
| 栅极电压Vgs | 4.5V |
| 19 nC | Qg - 闸极充电 |
通用MOSFET TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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