参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STD30N10F7
说明	通用MOSFET   TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK
品牌	ST(意法半导体)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5484 [库存更新时间：2024-05-24]
系列	DeepGATE™,STripFET™ VII
连续漏极电流Id	32A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	19nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1270pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max)	50W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	24m Ohms@16A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,Dpak,SC-63
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
最高工作温度	+ 175 C
50 W	Pd - 功率消耗
下降时间	5.6 ns
最低工作温度	- 55 C
上升时间	17.5 ns
FET类型	N-Channel
标准包装数量	2500
标准断开延迟时间	22 ns
漏源极电压Vds	100V
栅极电压Vgs	20V
连续漏极电流Id	32A
Rds On(Max)@Id,Vgs	24mΩ
配置	Single
栅极电压Vgs	4.5V
19 nC	Qg - 闸极充电