参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STB80N20M5
说明	通用MOSFET   TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK
起订量	1
最小包	1
现货	464 [库存更新时间：2024-04-15]
系列	MDmesh™ V
连续漏极电流Id	61A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	104nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4329pF @ 50V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	190W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	23m Ohms@30.5A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
封装/外壳	D2PAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	61A