SSM2212RZ

Analog Devices(亚德诺) · 未分类

型号参数与资料

型号
SSM2212RZ
品牌
Analog Devices(亚德诺)
类别
未分类
FET类型2 NPN(双)配对
电流 - 集电极(Ic)(最大值)20mA
电压 - 集射极击穿(最大值)40V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)200mV @ 100µA,1mA
电流 - 集电极截止(最大值)500pA
频率 - 跃迁200MHz
工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳8-SOIC
FET类型NPN
最大直流集电极电流20 mA
最大集电极-发射极电压10 V
封装/外壳SOIC
最小直流电流增益200
晶体管配置隔离式
最大集电极-基极电压15 V
最大工作频率10 kHz
引脚数目8
每片芯片元件数目2
最低工作温度-40 °C
最高工作温度+85 °C
最大集电极-发射极饱和电压0.2 V
长度5mm
宽度4mm
封装/外壳5 x 4 x 1.5mm
高度1.50mm

未分类   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) 8-SOIC SOIC 5mm 5x4x1.5mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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